Работа 2.1

Цель работы

Исследование характеристик эмиттерного повторителя на одиночном и составном транзисторах.

Порядок выполнения работы

1. Исследование эмиттерного повторителя на одиночном транзисторе.
1. Собрать схему эмиттерного повторителя (рис. 2.1.2).



Рис. 2.1.2

2. Установить значения элементов в соответствии с номером варианта (табл. 2.1.1).
3. Включить на входе схемы источник синусоидального напряжения VSIN из библиотеки SOURCE.slb. Установить атрибуты источника (рис. 2.1.3): DC = 0, АC = 1V, VOFF = 0, VAMPL = {VIN}, FREQ = 1k.
4. В режиме расчета переходных процессов Transient получить графики входного и выходного напряжений.
5. Скопировать в отчет графики входного и выходного напряжений.
6. Определить входное и выходное сопротивления схемы по переменной составляющей.
7. Повторить п. 1.4, устанавливая амплитуду входного напряжения (атрибут VAMPL) равной 2 В, 3 В, …,.
8. Скопировать в отчет графики входного и выходного напряжений, соответствующие случаю, когда наблюдаются заметные искажения выходного напряжения.


Рис. 2.1.3

9. По результатам моделирования определить максимальную амплитуду напряжения, при котором транзистор работает в активном режиме.
10. Построить передаточную характеристику эмиттерного повторителя.
11. В режиме AC Sweep построить и скопировать в отчет график ампитудно-частотной характеристики эмиттерного повторителя. Диапазон изменения частоты 10 Гц – 10 МГц. Определить частоты среза АЧХ.
2. Исследование эмиттерного повторителя на составном транзисторе.
1. Собрать схему эмиттерного повторителя на составном транзисторе (рис. 2.1.3).
2. Установить значения элементов в соответствии с номером варианта (табл. 2.1.1).
3. Повторить п. 1.4 – 1.11. Результаты моделирования скопировать в отчет.
4. Сравнить характеристики обеих схем. Выводы записать в отчет.

Рис. 2.1.3

Таблица 2.1.1