Исследование усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером
Схема усилительного каскада, в котором транзистор включен по схеме с общим эмиттером, а для стабилизации рабочей точки используется отрицательная обратная связь по току, показана на рис. 2.4.1.
Конденсаторы и являя.ются разделительными: препятствует связи по постоянному току источника входного сигнала и усилителя, а служит для разделения по постоянному току коллекторной цепи и нагрузки. Емкости и выбирают такими, что на частоте переменной составляющей их сопротивлением можно было пренебречь. Резистор учитывает внутреннее сопротивление источника сигнала. Резисторы и образуют делитель напряжения, определяющий положение рабочей точки эмиттерного перехода.
Рис. 2.4.1
Резистор в цепи коллектора преобразует изменение тока коллектора
в выходное напряжение. На выходе цепи включен резистор нагрузки , с которого снимается усиленный сигнал.
Резистор является цепью отрицательной обратной связи. Конденсатор в цепи эмиттера шунтирует резистор . Ёмкость этого конденсатора выбирают такой, чтобы на частоте сигнала .
За счёт этого увеличивается коэффициент усиления переменной составляющей. Поскольку в схеме действуют источники переменного (источник сигнала на входе) и постоянного напряжения, для расчета используем метод наложения. Проанализируем цепь отдельно для постоянной и переменной составляющих. Напомним, что анализ по постоянной составляющей называют анализом в режиме большого сигнала, а по переменной составляющей – анализом в режиме малого сигнала.
В схеме на рис. 2.4.1 заменим источник переменного сигнала коротким замыканием, а конденсаторы – разрывом. Схема замещения для постоянной составляющей показана
на рис. 2.4.2.
Рис. 2.4.2
Заменив транзистор моделью для режима большого сигнала, определим постоянные составляющие тока коллектора и напряжения , следовательно, и режим работы транзистора.
Расчетная схема для определения токов коллектора и эмиттера показана на рис. 2.4.3. Транзистор заменен моделью для активного режима. Делитель напряжения, образованный резисторами , , заменен эквивалентной схемой Тевенина. Здесь
, .
Рис. 2.4.3
Ток базы
.
Ток коллектора
.
Исключим из схемы источник постоянного напряжения , заменив его коротким замыканием. Верхние зажимы резисторов и окажутся заземленными, поэтому и , и соединены параллельно. Емкости конденсаторов выбирают такими, чтобы их сопротивление на частоте переменной составляющей было мало по сравнению с сопротивлениями резисторов. Поэтому зажимы конденсаторов закоротим. Заменив транзистор малосигнальной моделью, получим эквивалентную схему усилителя для режима малого сигнала (рис. 2.4.4). Здесь
.
Резистор в цепи эмиттера зашунтирован малым сопротивлением конденсатора , поэтому отрицательная обратная связь по переменной составляющей отсутствует.
Рис. 2.4.4
Входное сопротивление схемы
.
Входное сопротивление схемы с общим эмиттером невелико и не превышает нескольких кОм.
Определим выходное напряжение эквивалентной схемы усилителя. Резисторы , и rp образуют делитель напряжения, поэтому
.
Выходное напряжение схемы на рис. 2.4.4
. (2.4.1)
Если сопротивление источника сигнала невелико, напряжение , и формулу (2.4.1) можно упростить:
.
Коэффициент усиления переменной составляющей напряжения
. (2.4.2)
Знак минус в последнем выражении указывает на то, что входной и выходной сигналы находятся в противофазе.
Определим коэффициент усиления тока схемы с общим эмиттером. При выходной ток
.
Коэффициент усиления переменной составляющей тока
.
Это максимальный коэффициент усиления тока, который может быть получен в режиме короткого замыкания выходных зажимов, при .
В большинстве случаев за счет того, что часть выходного тока замыкается через резистор .
Итак, схема с общим эмиттером обеспечивает усиление как по напряжению, так и по току. Она имеет невысокое входное (сотни ом – десятки килоом) и относительно большое выходное сопротивления (единицы – десятки килоом). В многокаскадных усилителях схему с общим эмиттером используют для получения требуемого коэффициента усиления напряжения.
При сборке схемы усилителя можно использовать модели n-p-n транзисторов Q2N3904 или Q2N2222 из библиотеки EVAL.slb. Примеры схем можно найти в файлах W2_4_1, W2_4_2 в папке EMF\Labs.